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结构设计：精度与承重的平衡艺术半导体机架的结构设计需要在承重能力与精密定位之间找到完美平衡点。根据SEMI国际标准，晶圆传送区域的平面度误差需控制在±0.1mm/m以内，这···

采用270°旋转式电子枪（e-gun），单枪最大功率6kW，束斑直径0.5-2mm可调坩埚容量：6个石墨坩埚（直径50mm），石墨坩埚作为关键半导体零部件，采用高密度等静压成型工艺，支···

晶圆尺寸：300mm（兼容200mm）沉积均匀性：±1%（片内，3σ），±2%（片间）沉积速率：SiO?约500-1000?/min，Si?N?约200-500?/min膜厚控制精度：±0.5%（50?-5μm范围···

研磨平台配置：单研磨转盘设计，直径610mm，转速50-150rpm可调Titan I型研磨头，配备4区独立压力控制（0.5-8.0 psi）集成Dual Wafer Loss Sensor，实时监测晶圆厚度变化（精···

抛光平台配置：4个独立控制抛光站（P1-P4），支持不同浆料同时供应6个Contour Gen IV抛光头，每个配备5区压力控制（0.5-8.0 psi）高刚性花岗岩基座，静态变形量<0.02mm/···

多元素离子源配置：采用Bernas型离子源，支持B、P、As、Al等12种掺杂元素弧室温度控制精度±1°C，离子束纯度>99.99%束流能量调节范围：500eV-60keV，能量稳定性±0.5%/···

光源与光学配置：采用G线（436nm）和H线（546nm）双波长汞灯光源，功率1000W，寿命约1000小时投影物镜：1:1等倍成像，数值孔径NA=0.32，视场尺寸44mm×26.7mm分辨率：最小可···